文章詳情

igbt模塊使用中的注意事項

日期:2024-03-04 12:43
瀏覽次數:512
摘要:
    在igbt模塊使用過程中,可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,從而實現對IGBT導通/關斷/阻斷狀態的控制。

    1)當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時,MOSFET內溝道消失,IGBT呈關斷狀態。

    2)當集-射極電壓UCE<0時,J3的PN結處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態。

    3)當集-射極電壓UCE>0時,分兩種情況:

    若柵-射極電壓UGE<Uth,溝道不能形成,IGBT呈正向阻斷狀態。

    若柵-射極電壓UGE>Uth ,柵極溝道形成,IGBT呈導通狀態(正常工作)。此時,空穴從P+區注入到N基區進行電導調制,減  少N基區電阻RN的值,使IGBT通態壓降降低。

尊敬的客戶:

  本公司還有英飛凌igbt、三菱igbt、英飛凌igbt模塊等產品,您可以通過網頁撥打本公司的服務電話了解更多產品的詳細信息,至善至美的服務是我們的追求,歡迎新老客戶放心選購自己心儀產品,我們將竭誠為您服務!

京公網安備 11010502035422號

无码 有码 国产18p|亚洲精品nv久久久久久久久久|国产娱乐凹凸视觉盛宴在线视频|国产手机在线人成视频